Transistor MOSFET IRF630 Ver más grande

Transistor MOSFET IRF630

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IRF630 IRF630N energía del canal n Mosfet IRF630 630 TO-220 YMW

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N - CANAL 200V - 0.35Ω - 9A - TO-220 / FP MESH OVERLAY MOSFET
TIPO: IRF630
VDSS: 200 V
RDS (on): <0,40 Ohmio
ID: 9 A

■ RDS TÍPICOS (on) = 0,35 Ohmio
■ extremadamente alta dV / dt CAPACIDAD
■ capacitancias INTRÍNSECOS MUY BAJOS
■ PUERTA DE CARGA minimizada

DESCRIPCIÓN
Este MOSFET de potencia se ha diseñado utilizando proceso de superposición MESH basada diseño de bandas consolidadas de la compañía. Esta tecnología coincide y mejora el rendimiento en comparación con las piezas estándar de varias fuentes.
APLICACIONES
■ CONMUTACIÓN DE ALTA CORRIENTE
■ ALIMENTACIÓN ININTERRUMPIDA (SAI)
■ COVERTERS DC / DC PARA TELECOMUNICACIONES,
INDUSTRIAL, Y EQUIPO DE ILUMINACIÓN.

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